BSO615NGHUMA1 - MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1048840 Pieces
参考价
USD 0.267498
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规格 BSO615NGHUMA1

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSO615NGHUMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
系列 : SIPMOS®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 2.6A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)标识 : 2V @ 20µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 20nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 380pF @ 25V
功率 - 最大 : 2W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备封装 : PG-DSO-8
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BSO6 , BSO615

文件 BSO615NGHUMA1

数据表 : BSO615NGHUMA1.pdf

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