IRF6614TR1 - MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

制造商零件编号

IRF6614TR1

内部零件号

AX-IRF6614TR1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

10296 Pieces

参考价

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规格 IRF6614TR1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IRF6614TR1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST

系列 : HEXFET®

零件状态 : Obsolete

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 40V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 12.7A (Ta), 55A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.25V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 29nC @ 4.5V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 2560pF @ 20V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 2.1W (Ta), 42W (Tc)

工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : DIRECTFET™ ST

封装/箱体 : DirectFET™ Isometric ST

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IRF6614TR1

数据表 : IRF6614TR1.pdf

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