GSID200A120S3B1 - SILICON IGBT MODULES

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
SILICON IGBT MODULES
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7992 Pieces
参考价
USD 56.055
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规格 GSID200A120S3B1

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : GSID200A120S3B1
制造商 : Global Power Technologies Group
描述 : SILICON IGBT MODULES
系列 : Amp+™
零件状态 : Active
IGBT类型 : -
组态 : 2 Independent
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大) : 400A
功率 - 最大 : 1595W
的VCE(on)(最大)Vge的,集成电路 : 2V @ 15V, 200A
电流 - 集电极截止(最大) : 1mA
输入电容(连锁商店)@的Vce : 20nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : No
工作温度 : -40°C ~ 150°C
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : D-3 Module
供应商设备封装 : D3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : GSID2 , GSID200

文件 GSID200A120S3B1

数据表 : GSID200A120S3B1.pdf

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