1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
制造商零件编号
内部零件号
AX-1N6622US
简要描述
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
48870 Pieces
参考价
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规格 1N6622US
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
1N6622US
制造商 :
Microsemi Corporation
描述 :
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
系列 :
-
零件状态 :
Active
二极管类型 :
Standard
电压 - （Vr）（最大） :
660V
电流 - 平均整流（Io） :
1.2A
电压 - 正向（Vf）（最大）@如果 :
1.4V @ 1.2A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr） :
30ns
电流 - Vr时反向漏电 :
500nA @ 660V
电容@ Vr，F时 :
10pF @ 10V, 1MHz
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
SQ-MELF, A
供应商设备封装 :
A-MELF
工作温度 - 结 :
-65°C ~ 150°C
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 1N6622US
数据表 :
1N6622US.pdf
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