SI6562CDQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

制造商零件编号

SI6562CDQ-T1-GE3

内部零件号

AX-SI6562CDQ-T1-GE3

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

966520 Pieces

参考价

~~USD 0.29028~~

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规格 SI6562CDQ-T1-GE3

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SI6562CDQ-T1-GE3

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

系列 : TrenchFET®

零件状态 : Active

FET型 : N and P-Channel

FET特点 : Logic Level Gate

漏极至源极电压（Vdss） : 20V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6.7A, 6.1A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V

VGS（TH）（最大）标识 : 1.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 23nC @ 10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 850pF @ 10V

功率 - 最大 : 1.6W, 1.7W

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供应商设备封装 : 8-TSSOP

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SI6562CDQ-T1-GE3

数据表 : SI6562CDQ-T1-GE3.pdf

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