APTM100A13DG - MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
制造商零件编号
内部零件号
AX-APTM100A13DG
简要描述
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
4720 Pieces
参考价
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规格 APTM100A13DG
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APTM100A13DG
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压（Vdss） : 1000V (1kV)
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 65A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 156 mOhm @ 32.5A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 5V @ 6mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 562nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 15200pF @ 25V
功率 - 最大 : 1250W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : SP6
供应商设备封装 : SP6
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 APTM100A13DG
数据表 : APTM100A13DG.pdf
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