W979H6KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
130120 Pieces
参考价
USD 2.397252
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规格 W979H6KBVX2E

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : W979H6KBVX2E
制造商 : Winbond Electronics
描述 : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
系列 : -
零件状态 : Active
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - Mobile LPDDR2
内存大小 : 512Mb (32M x 16)
时钟频率 : 400MHz
写周期时间 - 字,页面 : 15ns
访问时间 : -
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.14V ~ 1.95V
工作温度 : -25°C ~ 85°C (TC)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 134-VFBGA
供应商设备封装 : 134-VFBGA (10x11.5)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : W979 , W979H6

文件 W979H6KBVX2E

数据表 : W979H6KBVX2E.pdf

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零件号 品牌 描述 购买

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