BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
SIC POWER MODULE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9097 Pieces
参考价
USD 315.426
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规格 BSM180D12P3C007

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSM180D12P3C007
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : SIC POWER MODULE
系列 : -
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压(Vdss) : 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 180A (Tc)
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : -
VGS(TH)(最大)标识 : 5.6V @ 50mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : -
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 900pF @ 10V
功率 - 最大 : 880W
工作温度 : 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : Module
供应商设备封装 : Module
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BSM18 , BSM180D

文件 BSM180D12P3C007

数据表 : BSM180D12P3C007.pdf

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