1N5552US - DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
39732 Pieces
参考价
USD 8.472
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规格 1N5552US

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : 1N5552US
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
系列 : -
零件状态 : Active
二极管类型 : Standard
电压 - (Vr)(最大) : 600V
电流 - 平均整流(Io) : 3A
电压 - 正向(Vf)(最大)@如果 : 1.2V @ 9A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间(trr) : 2µs
电流 - Vr时反向漏电 : 1µA @ 600V
电容@ Vr,F时 : -
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : SQ-MELF, B
供应商设备封装 : D-5B
工作温度 - 结 : -65°C ~ 175°C
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : 1N , 1N55

文件 1N5552US

数据表 : 1N5552US.pdf

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