FDMS3660S-F121 - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
28392 Pieces
参考价
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规格 FDMS3660S-F121
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : FDMS3660S-F121
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
系列 : PowerTrench®
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 13A, 30A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8 mOhm @ 13A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.7V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 29nC @ 10V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1765pF @ 15V
功率 - 最大 : 1W
工作温度 : -
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : Power56
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 FDMS3660S-F121
数据表 : FDMS3660S-F121.pdf
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