RQ3E120ATTB - MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

制造商零件编号

RQ3E120ATTB

内部零件号

AX-RQ3E120ATTB

制造商

Rohm Semiconductor

简要描述

MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

2186095 Pieces

参考价

~~USD 0.12834~~

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规格 RQ3E120ATTB

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : RQ3E120ATTB

制造商 : Rohm Semiconductor

描述 : MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

系列 : -

零件状态 : Active

FET型 : P-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 12A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8 mOhm @ 12A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 2.5V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 62nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 3200pF @ 15V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 2W (Ta)

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 8-HSMT (3.2x3)

封装/箱体 : 8-PowerVDFN

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 RQ3E120ATTB

数据表 : RQ3E120ATTB.pdf

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零件号	品牌	描述
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