STLD200N4F6AG - MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
322730 Pieces
参考价
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规格 STLD200N4F6AG
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
STLD200N4F6AG
制造商 :
STMicroelectronics
描述 :
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
系列 :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
40V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
120A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
6.5V, 10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
1.5 mOhm @ 75A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
172nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
10700pF @ 10V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
158W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
PowerFlat™ (5x6) Dual Side
封装/箱体 :
8-PowerWDFN
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 STLD200N4F6AG
数据表 :
STLD200N4F6AG.pdf
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