RGT8NS65DGTL - IGBT 650V 8A 65W TO-263S
制造商零件编号
内部零件号
AX-RGT8NS65DGTL
简要描述
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
833965 Pieces
参考价
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规格 RGT8NS65DGTL
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : RGT8NS65DGTL
制造商 : Rohm Semiconductor
描述 : IGBT 650V 8A 65W TO-263S
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : Trench Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 8A
电流 - 集电极脉冲（ICM） : 12A
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.1V @ 15V, 4A
功率 - 最大 : 65W
开关能量 : -
输入类型 : Standard
栅极电荷 : 13.5nC
TD（开/关）@ 25℃ : 17ns/69ns
测试条件 : 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr） : 40ns
工作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 : LPDS (TO-263S)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 RGT8NS65DGTL
数据表 : RGT8NS65DGTL.pdf
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