EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR - IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

制造商零件编号

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

内部零件号

AX-EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

制造商

Micron Technology Inc.

简要描述

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

69955 Pieces

参考价

~~USD 0~~

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规格 EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

制造商 : Micron Technology Inc.

描述 : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

系列 : -

零件状态 : Active

内存类型 : Volatile

存储格式 : DRAM

技术 : SDRAM - Mobile LPDDR2

内存大小 : 1Gb (64M x 16)

时钟频率 : 533MHz

写周期时间 - 字，页面 : -

访问时间 : -

内存接口 : Parallel

电压 - 电源 : 1.14V ~ 1.95V

工作温度 : -40°C ~ 125°C (TC)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 134-VFBGA

供应商设备封装 : 134-VFBGA (10x11.5)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

数据表 : EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf

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零件号	品牌	描述
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BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
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