IPD80R3K3P7ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

制造商零件编号

IPD80R3K3P7ATMA1

内部零件号

AX-IPD80R3K3P7ATMA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

1286040 Pieces

参考价

~~USD 0.21816~~

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规格 IPD80R3K3P7ATMA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IPD80R3K3P7ATMA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

系列 : CoolMOS™ P7

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 800V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 1.9A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 3.3 Ohm @ 590mA, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3.5V @ 30µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 5.8nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 120pF @ 500V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 18W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : PG-TO252-3

封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IPD80R3K3P7ATMA1

数据表 : IPD80R3K3P7ATMA1.pdf

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