EPC2110ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
制造商零件编号
内部零件号
AX-EPC2110ENGRT
制造商
简要描述
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
457535 Pieces
参考价
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规格 EPC2110ENGRT
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
EPC2110ENGRT
制造商 :
EPC
描述 :
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
系列 :
eGaN®
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特点 :
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压（Vdss） :
120V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
3.4A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
60 mOhm @ 4A, 5V
VGS（TH）（最大）标识 :
2.5V @ 700µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
0.8nC @ 5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
80pF @ 60V
功率 - 最大 :
-
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
Die
供应商设备封装 :
Die
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 EPC2110ENGRT
数据表 :
EPC2110ENGRT.pdf
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