GSID100A120T2C1 - SILICON IGBT MODULES
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
SILICON IGBT MODULES
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
6088 Pieces
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规格 GSID100A120T2C1
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
GSID100A120T2C1
制造商 :
Global Power Technologies Group
描述 :
SILICON IGBT MODULES
系列 :
Amp+™
零件状态 :
Active
IGBT类型 :
-
组态 :
Three Phase Inverter
电压 - 集电极发射极击穿（最大） :
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） :
200A
功率 - 最大 :
640W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 :
2.1V @ 15V, 100A
电流 - 集电极截止（最大） :
1mA
输入电容（连锁商店）@的Vce :
13.7nF @ 25V
输入 :
Three Phase Bridge Rectifier
NTC热敏电阻器 :
Yes
工作温度 :
-40°C ~ 150°C
安装类型 :
Chassis Mount
封装/箱体 :
Module
供应商设备封装 :
Module
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 GSID100A120T2C1
数据表 :
GSID100A120T2C1.pdf
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