SI8809EDB-T2-E1 - MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

制造商零件编号

SI8809EDB-T2-E1

内部零件号

AX-SI8809EDB-T2-E1

制造商

Vishay Siliconix

简要描述

MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

19976 Pieces

参考价

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规格 SI8809EDB-T2-E1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : SI8809EDB-T2-E1

制造商 : Vishay Siliconix

描述 : MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

系列 : TrenchFET®

零件状态 : Obsolete

FET型 : P-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 20V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : -

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.8V, 4.5V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）标识 : 900mV @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 15nC @ 8V

VGS（最大） : ±8V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : -

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 500mW (Ta)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 4-Microfoot

封装/箱体 : 4-XFBGA

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 SI8809EDB-T2-E1

数据表 : SI8809EDB-T2-E1.pdf

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