W987D2HBJX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
238060 Pieces
参考价
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规格 W987D2HBJX6E TR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : W987D2HBJX6E TR
制造商 : Winbond Electronics
描述 : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
系列 : -
零件状态 : Not For New Designs
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - Mobile LPSDR
内存大小 : 128Mb (4M x 32)
时钟频率 : 166MHz
写周期时间 - 字，页面 : 15ns
访问时间 : 5.4ns
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.95V
工作温度 : -25°C ~ 85°C (TC)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 90-TFBGA
供应商设备封装 : 90-VFBGA (8x13)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 W987D2HBJX6E TR
数据表 : W987D2HBJX6E TR.pdf
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