PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

制造商零件编号

PMWD19UN,518

内部零件号

AX-PMWD19UN,518

制造商

NXP USA Inc.

简要描述

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

26418 Pieces

参考价

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规格 PMWD19UN,518

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : PMWD19UN,518

制造商 : NXP USA Inc.

描述 : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

系列 : TrenchMOS™

零件状态 : Obsolete

FET型 : 2 N-Channel (Dual)

FET特点 : Logic Level Gate

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 5.6A

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

VGS（TH）（最大）标识 : 700mV @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 28nC @ 5V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1478pF @ 10V

功率 - 最大 : 2.3W

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供应商设备封装 : 8-TSSOP

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 PMWD19UN,518

数据表 : PMWD19UN,518.pdf

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零件号	品牌	描述
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