BSZ086P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

制造商零件编号

BSZ086P03NS3EGATMA1

内部零件号

AX-BSZ086P03NS3EGATMA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

1399470 Pieces

参考价

~~USD 0.200478~~

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规格 BSZ086P03NS3EGATMA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : BSZ086P03NS3EGATMA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列 : OptiMOS™

零件状态 : Active

FET型 : P-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 13.5A (Ta), 40A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 6V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 8.6 mOhm @ 20A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3.1V @ 105µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 57.5nC @ 10V

VGS（最大） : ±25V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 4785pF @ 15V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : PG-TSDSON-8

封装/箱体 : 8-PowerTDFN

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 BSZ086P03NS3EGATMA1

数据表 : BSZ086P03NS3EGATMA1.pdf

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