MT40A256M16GE-075E AUT:B - IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
35322 Pieces
参考价
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规格 MT40A256M16GE-075E AUT:B
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
MT40A256M16GE-075E AUT:B
制造商 :
Micron Technology Inc.
描述 :
IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
系列 :
-
零件状态 :
Active
内存类型 :
Volatile
存储格式 :
DRAM
技术 :
SDRAM - DDR4
内存大小 :
4Gb (256M x 16)
时钟频率 :
1.33GHz
写周期时间 - 字，页面 :
-
访问时间 :
-
内存接口 :
Parallel
电压 - 电源 :
1.14V ~ 1.26V
工作温度 :
-40°C ~ 125°C (TC)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
96-TFBGA
供应商设备封装 :
96-FBGA (14x9)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
相关链接 :
MT40A256 , MT40A256M16G
文件 MT40A256M16GE-075E AUT:B
相关产品 MT40A256M16GE-075E AUT:B Micron Technology Inc.
| 零件号 | 品牌 | 描述 | 购买 |
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CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7600PF 18KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 32KV R85. |
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