FDC021N30 - PT8 N 30V/20V MOSFET

制造商零件编号

FDC021N30

内部零件号

AX-FDC021N30

制造商

ON Semiconductor

简要描述

PT8 N 30V/20V MOSFET

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

3975905 Pieces

参考价

~~USD 0.070566~~

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规格 FDC021N30

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : FDC021N30

制造商 : ON Semiconductor

描述 : PT8 N 30V/20V MOSFET

系列 : PowerTrench®

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 30V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6.1A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 4.5V, 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 26 mOhm @ 6.1A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 3V @ 250µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 10.8nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 710pF @ 15V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 700mW (Ta)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : SuperSOT™-6

封装/箱体 : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 FDC021N30

数据表 : FDC021N30.pdf

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