IRFU9N20D - MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
制造商零件编号
内部零件号
AX-IRFU9N20D
简要描述
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
63395 Pieces
参考价
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规格 IRFU9N20D
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
IRFU9N20D
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
系列 :
HEXFET®
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
9.4A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
380 mOhm @ 5.6A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
5.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
27nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
560pF @ 25V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
86W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型 :
Through Hole
供应商设备封装 :
IPAK (TO-251)
封装/箱体 :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 IRFU9N20D
数据表 :
IRFU9N20D.pdf
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