EPC2108 - GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
566100 Pieces
参考价
USD 0.4956
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规格 EPC2108

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EPC2108
制造商 : EPC
描述 : GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特点 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss) : 60V, 100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 1.7A, 500mA
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
功率 - 最大 : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 9-VFBGA
供应商设备封装 : 9-BGA (1.35x1.35)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : EP , EPC

文件 EPC2108

数据表 : EPC2108.pdf

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