BSO080P03NS3EGXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
1104140 Pieces
参考价
USD 0.2541
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规格 BSO080P03NS3EGXUMA1

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : BSO080P03NS3EGXUMA1
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
系列 : OptiMOS™
零件状态 : Active
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 12A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 8 mOhm @ 14.8A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3.1V @ 150µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 81nC @ 10V
VGS(最大) : ±25V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 6750pF @ 15V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 1.6W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PG-DSO-8
封装/箱体 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : BSO080 , BSO080P03

文件 BSO080P03NS3EGXUMA1

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