IS61DDB21M18A-300M3L - IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

制造商零件编号

IS61DDB21M18A-300M3L

内部零件号

AX-IS61DDB21M18A-300M3L

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

简要描述

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

24143 Pieces

参考价

~~USD 18.087312~~

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规格 IS61DDB21M18A-300M3L

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IS61DDB21M18A-300M3L

制造商 : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述 : IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

系列 : -

零件状态 : Active

内存类型 : Volatile

存储格式 : SRAM

技术 : SRAM - Synchronous, DDR II

内存大小 : 18Mb (1M x 18)

时钟频率 : 300MHz

写周期时间 - 字，页面 : -

访问时间 : -

内存接口 : Parallel

电压 - 电源 : 1.71V ~ 1.89V

工作温度 : 0°C ~ 70°C (TA)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 165-LBGA

供应商设备封装 : 165-LFBGA (13x15)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IS61DDB21M18A-300M3L

数据表 : IS61DDB21M18A-300M3L.pdf

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