IGO60R070D1AUMA1 - IC GAN FET 600V 60A 20DSO

制造商零件编号

IGO60R070D1AUMA1

内部零件号

AX-IGO60R070D1AUMA1

制造商

Infineon Technologies

简要描述

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

36694 Pieces

参考价

~~USD 10.700808~~

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规格 IGO60R070D1AUMA1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : IGO60R070D1AUMA1

制造商 : Infineon Technologies

描述 : IC GAN FET 600V 60A 20DSO

系列 : CoolGaN™

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : GaNFET (Gallium Nitride)

漏极至源极电压（Vdss） : 600V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 31A (Tc)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -

VGS（TH）（最大）标识 : 1.6V @ 2.6mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

VGS（最大） : -10V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 380pF @ 400V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 125W (Tc)

工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : PG-DSO-20-85

封装/箱体 : 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 IGO60R070D1AUMA1

数据表 : IGO60R070D1AUMA1.pdf

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