IRF6892STR1PBF - MOSFET N-CH 25V 28A S3

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 25V 28A S3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
19680 Pieces
参考价
USD 0
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规格 IRF6892STR1PBF

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : IRF6892STR1PBF
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET N-CH 25V 28A S3
系列 : HEXFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 25V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 28A (Ta), 125A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 4.5V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 1.7 mOhm @ 28A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.1V @ 50µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 25nC @ 4.5V
VGS(最大) : ±16V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2510pF @ 13V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 2.1W (Ta), 42W (Tc)
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : DIRECTFET™ S3C
封装/箱体 : DirectFET™ Isometric S3C
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : IRF6 , IRF6892

文件 IRF6892STR1PBF

数据表 : IRF6892STR1PBF.pdf

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