MT41K256M8V89CWC1 - IC DRAM 2G PARALLEL DIE
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 2G PARALLEL DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
56000 Pieces
参考价
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规格 MT41K256M8V89CWC1
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
MT41K256M8V89CWC1
制造商 :
Micron Technology Inc.
描述 :
IC DRAM 2G PARALLEL DIE
系列 :
-
零件状态 :
Obsolete
内存类型 :
Volatile
存储格式 :
DRAM
技术 :
SDRAM - DDR3L
内存大小 :
2Gb (256M x 8)
时钟频率 :
-
写周期时间 - 字，页面 :
-
访问时间 :
-
内存接口 :
Parallel
电压 - 电源 :
1.283V ~ 1.45V
工作温度 :
0°C ~ 95°C (TC)
安装类型 :
-
封装/箱体 :
-
供应商设备封装 :
-
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 MT41K256M8V89CWC1
数据表 :
MT41K256M8V89CWC1.pdf
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