GSID600A120S4B1 - SILICON IGBT MODULES

制造商零件编号

GSID600A120S4B1

内部零件号

AX-GSID600A120S4B1

制造商

Global Power Technologies Group

简要描述

SILICON IGBT MODULES

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

4464 Pieces

参考价

~~USD 100.3395~~

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规格 GSID600A120S4B1

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : GSID600A120S4B1

制造商 : Global Power Technologies Group

描述 : SILICON IGBT MODULES

系列 : Amp+™

零件状态 : Active

IGBT类型 : -

组态 : Half Bridge

电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大） : 1130A

功率 - 最大 : 3060W

的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.1V @ 15V, 600A

电流 - 集电极截止（最大） : 1mA

输入电容（连锁商店）@的Vce : 51nF @ 25V

输入 : Standard

NTC热敏电阻器 : Yes

工作温度 : -40°C ~ 150°C

安装类型 : Chassis Mount

封装/箱体 : Module

供应商设备封装 : Module

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 GSID600A120S4B1

数据表 : GSID600A120S4B1.pdf

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