SIHB18N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 18A TO263
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
256450 Pieces
参考价
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规格 SIHB18N60E-GE3
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
SIHB18N60E-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
描述 :
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
系列 :
-
零件状态 :
Active
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
600V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
18A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
202 mOhm @ 9A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
92nC @ 10V
VGS（最大） :
±30V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
1640pF @ 100V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
179W (Tc)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
TO-263 (D²Pak)
封装/箱体 :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 SIHB18N60E-GE3
数据表 :
SIHB18N60E-GE3.pdf
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