EPC2021 - GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
99885 Pieces
参考价
USD 2.8086
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规格 EPC2021

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : EPC2021
制造商 : EPC
描述 : GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
系列 : eGaN®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss) : 80V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 90A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 5V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 2.5 mOhm @ 29A, 5V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.5V @ 14mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 15nC @ 5V
VGS(最大) : +6V, -4V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 1650pF @ 40V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : -
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : Die
封装/箱体 : Die
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : EP , EPC

文件 EPC2021

数据表 : EPC2021.pdf

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