TH58NYG3S0HBAI4 - 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

制造商零件编号

TH58NYG3S0HBAI4

内部零件号

AX-TH58NYG3S0HBAI4

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

简要描述

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

54205 Pieces

参考价

~~USD 5.754~~

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规格 TH58NYG3S0HBAI4

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TH58NYG3S0HBAI4

制造商 : Toshiba Memory America, Inc.

描述 : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

系列 : -

零件状态 : Active

内存类型 : Non-Volatile

存储格式 : FLASH

技术 : FLASH - NAND (SLC)

内存大小 : 8Gb (1G x 8)

时钟频率 : -

写周期时间 - 字，页面 : 25ns

访问时间 : 25ns

内存接口 : Parallel

电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.95V

工作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 63-VFBGA

供应商设备封装 : 63-TFBGA (9x11)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TH58NYG3S0HBAI4

数据表 : TH58NYG3S0HBAI4.pdf

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零件号	品牌	描述
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WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.