IRF6643TR1PBF - MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
51390 Pieces
参考价
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规格 IRF6643TR1PBF
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
IRF6643TR1PBF
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
系列 :
HEXFET®
零件状态 :
Obsolete
FET型 :
N-Channel
技术 :
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） :
150V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
6.2A (Ta), 35A (Tc)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） :
10V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 :
4.9V @ 150µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
55nC @ 10V
VGS（最大） :
±20V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
2340pF @ 25V
FET特点 :
-
功率耗散（最大） :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Surface Mount
供应商设备封装 :
DIRECTFET™ MZ
封装/箱体 :
DirectFET™ Isometric MZ
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 IRF6643TR1PBF
数据表 :
IRF6643TR1PBF.pdf
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