IS42SM32160E-6BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
35560 Pieces
参考价
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规格 IS42SM32160E-6BLI
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
IS42SM32160E-6BLI
制造商 :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
描述 :
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
系列 :
-
零件状态 :
Preliminary
内存类型 :
Volatile
存储格式 :
DRAM
技术 :
SDRAM - Mobile
内存大小 :
512Mb (16M x 32)
时钟频率 :
166MHz
写周期时间 - 字，页面 :
-
访问时间 :
5.5ns
内存接口 :
Parallel
电压 - 电源 :
3V ~ 3.6V
工作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 :
Surface Mount
封装/箱体 :
90-TFBGA
供应商设备封装 :
90-TFBGA (8x13)
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 IS42SM32160E-6BLI
数据表 :
IS42SM32160E-6BLI.pdf
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