TC58BYG1S3HBAI6 - IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

制造商零件编号

TC58BYG1S3HBAI6

内部零件号

AX-TC58BYG1S3HBAI6

制造商

Toshiba Memory America, Inc.

简要描述

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

131615 Pieces

参考价

~~USD 2.37~~

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规格 TC58BYG1S3HBAI6

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TC58BYG1S3HBAI6

制造商 : Toshiba Memory America, Inc.

描述 : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

系列 : Benand™

零件状态 : Active

内存类型 : Non-Volatile

存储格式 : FLASH

技术 : FLASH - NAND (SLC)

内存大小 : 2Gb (256M x 8)

时钟频率 : -

写周期时间 - 字，页面 : 25ns

访问时间 : 25ns

内存接口 : Parallel

电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.95V

工作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

安装类型 : Surface Mount

封装/箱体 : 67-VFBGA

供应商设备封装 : 67-VFBGA (6.5x8)

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TC58BYG1S3HBAI6

数据表 : TC58BYG1S3HBAI6.pdf

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