MT47H128M4CB-37E:B TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
58280 Pieces
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规格 MT47H128M4CB-37E:B TR
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : MT47H128M4CB-37E:B TR
制造商 : Micron Technology Inc.
描述 : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
系列 : -
零件状态 : Obsolete
内存类型 : Volatile
存储格式 : DRAM
技术 : SDRAM - DDR2
内存大小 : 512Mb (128M x 4)
时钟频率 : 267MHz
写周期时间 - 字，页面 : 15ns
访问时间 : 500ps
内存接口 : Parallel
电压 - 电源 : 1.7V ~ 1.9V
工作温度 : 0°C ~ 85°C (TC)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 60-FBGA
供应商设备封装 : 60-FBGA
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : MT47H12 , MT47H128M4
文件 MT47H128M4CB-37E:B TR
相关产品 MT47H128M4CB-37E:B TR Micron Technology Inc.
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 32KV R85. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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