APTGT75DH120T3G - MOD IGBT 1200V 110A SP3
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOD IGBT 1200V 110A SP3
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
14536 Pieces
参考价
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规格 APTGT75DH120T3G
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APTGT75DH120T3G
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOD IGBT 1200V 110A SP3
系列 : -
零件状态 : Active
IGBT类型 : Trench Field Stop
组态 : Asymmetrical Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大） : 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大） : 110A
功率 - 最大 : 357W
的VCE（on）（最大）Vge的，集成电路 : 2.1V @ 15V, 75A
电流 - 集电极截止（最大） : 250µA
输入电容（连锁商店）@的Vce : 5.34nF @ 25V
输入 : Standard
NTC热敏电阻器 : Yes
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : SP3
供应商设备封装 : SP3
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 APTGT75DH120T3G
数据表 : APTGT75DH120T3G.pdf
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