SISS40DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
792010 Pieces
参考价
USD 0.35424
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规格 SISS40DN-T1-GE3

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SISS40DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
系列 : ThunderFET®
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 36.5A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 6V, 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 21 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 24nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 845pF @ 50V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
封装/箱体 : 8-PowerVDFN
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : SISS4 , SISS40D

文件 SISS40DN-T1-GE3

数据表 : SISS40DN-T1-GE3.pdf

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