FCD4N60TF - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
RoHS状态
无铅/符合RoHS
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1-2天
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9003 Pieces
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USD 0
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规格 FCD4N60TF

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : FCD4N60TF
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
系列 : SuperFET™
零件状态 : Obsolete
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 3.9A (Tc)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 1.2 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 16.6nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 540pF @ 25V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 50W (Tc)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : D-Pak
封装/箱体 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : FCD , FCD4

文件 FCD4N60TF

数据表 : FCD4N60TF.pdf

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