FDMS3660AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
692125 Pieces
参考价
USD 0.40536
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规格 FDMS3660AS

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : FDMS3660AS
制造商 : ON Semiconductor
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
系列 : PowerTrench®
零件状态 : Active
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 13A, 30A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 8 mOhm @ 13A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 2.7V @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 30nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2230pF @ 15V
功率 - 最大 : 1W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 8-PowerTDFN
供应商设备封装 : Power56
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : FDM , FDMS3

文件 FDMS3660AS

数据表 : FDMS3660AS.pdf

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