TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
755665 Pieces
参考价
USD 0.37128
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规格 TPN1110ENH,L1Q

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TPN1110ENH,L1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
系列 : U-MOSVIII-H
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 7.2A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 114 mOhm @ 3.6A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 4V @ 200µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 7nC @ 10V
VGS(最大) : ±20V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 600pF @ 100V
FET特点 : -
功率耗散(最大) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
封装/箱体 : 8-PowerVDFN
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TPN1 , TPN1110

文件 TPN1110ENH,L1Q

数据表 : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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