TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

制造商零件编号

TPN1110ENH,L1Q

内部零件号

AX-TPN1110ENH,L1Q

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

755665 Pieces

参考价

~~USD 0.37128~~

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规格 TPN1110ENH,L1Q

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TPN1110ENH,L1Q

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

系列 : U-MOSVIII-H

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 200V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 7.2A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4V @ 200µA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 7nC @ 10V

VGS（最大） : ±20V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 600pF @ 100V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 700mW (Ta), 39W (Tc)

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Surface Mount

供应商设备封装 : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

封装/箱体 : 8-PowerVDFN

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TPN1110ENH,L1Q

数据表 : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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