H5N2007LSTL-E - MOSFET N-CH HS SW TO-263

制造商零件编号

H5N2007LSTL-E

内部零件号

AX-H5N2007LSTL-E

制造商

Renesas Electronics America

简要描述

MOSFET N-CH HS SW TO-263

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

67745 Pieces

参考价

~~USD 0~~

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规格 H5N2007LSTL-E

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : H5N2007LSTL-E

制造商 : Renesas Electronics America

描述 : MOSFET N-CH HS SW TO-263

系列 : *

零件状态 : Last Time Buy

FET型 : -

技术 : -

漏极至源极电压（Vdss） : -

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : -

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : -

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : -

VGS（TH）（最大）标识 : -

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : -

VGS（最大） : -

输入电容（CISS）（最大）的Vds : -

FET特点 : -

功率耗散（最大） : -

工作温度 : -

安装类型 : -

供应商设备封装 : -

封装/箱体 : -

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 H5N2007LSTL-E

数据表 : H5N2007LSTL-E.pdf

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