FF8MR12W2M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 150A
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET MODULE 1200V 150A
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
9300 Pieces
参考价
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规格 FF8MR12W2M1B11BOMA1
质量保证 :
365天保修
库存资源 :
特许经销商/制造商直销
出生国家 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 :
FF8MR12W2M1B11BOMA1
制造商 :
Infineon Technologies
描述 :
MOSFET MODULE 1200V 150A
系列 :
CoolSiC™
零件状态 :
Active
FET型 :
2 N-Channel (Dual)
FET特点 :
Silicon Carbide (SiC)
漏极至源极电压（Vdss） :
1200V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ :
150A (Tj)
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 :
7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
VGS（TH）（最大）标识 :
5.55V @ 60mA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 :
372nC @ 15V
输入电容（CISS）（最大）的Vds :
11000pF @ 800V
功率 - 最大 :
20mW (Tc)
工作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 :
Chassis Mount
封装/箱体 :
Module
供应商设备封装 :
AG-EASY2BM-2
重量 :
-
条件 :
新的和原始的
文件 FF8MR12W2M1B11BOMA1
数据表 :
FF8MR12W2M1B11BOMA1.pdf
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