APTC80H29T1G - MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
27083 Pieces
参考价
USD 0
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规格 APTC80H29T1G

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : APTC80H29T1G
制造商 : Microsemi Corporation
描述 : MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
系列 : -
零件状态 : Obsolete
FET型 : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 : Standard
漏极至源极电压(Vdss) : 800V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 15A
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 290 mOhm @ 7.5A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3.9V @ 1mA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 90nC @ 10V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 2254pF @ 25V
功率 - 最大 : 156W
工作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Chassis Mount
封装/箱体 : SP1
供应商设备封装 : SP1
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : APTC , APTC80

文件 APTC80H29T1G

数据表 : APTC80H29T1G.pdf

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