SI6463BDQ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
制造商零件编号
内部零件号
制造商
简要描述
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
7016 Pieces
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规格 SI6463BDQ-T1-GE3
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : SI6463BDQ-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
描述 : MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
系列 : TrenchFET®
零件状态 : Obsolete
FET型 : P-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压（Vdss） : 20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 6.2A (Ta)
驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 1.8V, 4.5V
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
VGS（TH）（最大）标识 : 800mV @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 60nC @ 5V
VGS（最大） : ±8V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : -
FET特点 : -
功率耗散（最大） : 1.05W (Ta)
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
供应商设备封装 : 8-TSSOP
封装/箱体 : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 SI6463BDQ-T1-GE3
数据表 : SI6463BDQ-T1-GE3.pdf
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