TK10A60W,S4VX - MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
166995 Pieces
参考价
USD 1.68
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规格 TK10A60W,S4VX

质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : TK10A60W,S4VX
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
描述 : MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
系列 : DTMOSIV
零件状态 : Active
FET型 : N-Channel
技术 : MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25℃ : 9.7A (Ta)
驱动电压(最大RDS(ON),闵RDS(ON)) : 10V
RDS(ON)(最大)标识,Vgs的 : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
VGS(TH)(最大)标识 : 3.7V @ 500µA
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs的 : 20nC @ 10V
VGS(最大) : ±30V
输入电容(CISS)(最大)的Vds : 700pF @ 300V
FET特点 : Super Junction
功率耗散(最大) : 30W (Tc)
工作温度 : 150°C (TJ)
安装类型 : Through Hole
供应商设备封装 : TO-220SIS
封装/箱体 : TO-220-3 Full Pack
重量 : -
条件 : 新的和原始的
相关链接 : TK10 , TK10A6

文件 TK10A60W,S4VX

数据表 : TK10A60W,S4VX.pdf

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