TK3A60DA(Q,M) - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

制造商零件编号

TK3A60DA(Q,M)

内部零件号

AX-TK3A60DA(Q,M)

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

简要描述

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

RoHS状态

无铅/符合RoHS

交货时间

1-2天

可用数量

386445 Pieces

参考价

~~USD 0.726~~

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规格 TK3A60DA(Q,M)

质量保证 : 365天保修

库存资源 : 特许经销商/制造商直销

出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

零件号 : TK3A60DA(Q,M)

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage

描述 : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

系列 : π-MOSVII

零件状态 : Active

FET型 : N-Channel

技术 : MOSFET (Metal Oxide)

漏极至源极电压（Vdss） : 600V

电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 2.5A (Ta)

驱动电压（最大RDS（ON），闵RDS（ON）） : 10V

RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V

VGS（TH）（最大）标识 : 4.4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 9nC @ 10V

VGS（最大） : ±30V

输入电容（CISS）（最大）的Vds : 380pF @ 25V

FET特点 : -

功率耗散（最大） : 30W (Tc)

工作温度 : 150°C (TJ)

安装类型 : Through Hole

供应商设备封装 : TO-220SIS

封装/箱体 : TO-220-3 Full Pack

重量 : -

条件 : 新的和原始的

文件 TK3A60DA(Q,M)

数据表 : TK3A60DA(Q,M).pdf

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