IRFHE4250DTRPBF - MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
制造商零件编号
内部零件号
简要描述
MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
RoHS状态
无铅/符合RoHS
交货时间
1-2天
可用数量
28497 Pieces
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规格 IRFHE4250DTRPBF
质量保证 : 365天保修
库存资源 : 特许经销商/制造商直销
出生国家 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
零件号 : IRFHE4250DTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
描述 : MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
系列 : FASTIRFET™
零件状态 : Obsolete
FET型 : 2 N-Channel (Dual)
FET特点 : Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss） : 25V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25℃ : 86A, 303A
RDS（ON）（最大）标识，Vgs的 : 2.75 mOhm @ 27A, 10V
VGS（TH）（最大）标识 : 2.1V @ 35µA
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs的 : 20nC @ 4.5V
输入电容（CISS）（最大）的Vds : 1735pF @ 13V
功率 - 最大 : 156W
工作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 : Surface Mount
封装/箱体 : 32-PowerWFQFN
供应商设备封装 : 32-PQFN (6x6)
重量 : -
条件 : 新的和原始的
文件 IRFHE4250DTRPBF
数据表 : IRFHE4250DTRPBF.pdf
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